信越半導体株式会社
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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第386位 87件
（
2022年：第428位 76件）
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第364位 86件
（2022年：第392位 75件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7251672 | 発光素子の製造方法 | 2023年 4月 4日 | |
| 特許 7247902 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 3月29日 | |
| 特許 7247907 | 半導体基板表面に付着した有機物の評価方法 | 2023年 3月29日 | |
| 特許 7247949 | シリコン単結晶を製造する方法 | 2023年 3月29日 | |
| 特許 7243643 | 化学処理液の評価方法 | 2023年 3月22日 | |
| 特許 7243899 | 発光素子及びその製造方法 | 2023年 3月22日 | |
| 特許 7240827 | 原料結晶の抵抗率の測定方法及びＦＺシリコン単結晶の製造方法 | 2023年 3月16日 | |
| 特許 7230741 | 窒素濃度の測定方法 | 2023年 3月 1日 | |
| 特許 7230781 | 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法 | 2023年 3月 1日 | |
| 特許 7231120 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 3月 1日 | |
| 特許 7226286 | ワイヤソーの運転再開方法 | 2023年 2月21日 | |
| 特許 7224325 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 | 2023年 2月17日 | |
| 特許 7222374 | 配管接続方法及び半導体ウェーハ熱処理装置 | 2023年 2月15日 | |
| 特許 7218731 | ラッピング装置の洗浄装置 | 2023年 2月 7日 | |
| 特許 7218733 | シリコン試料の酸素濃度評価方法 | 2023年 2月 7日 |
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7251672 7247902 7247907 7247949 7243643 7243899 7240827 7230741 7230781 7231120 7226286 7224325 7222374 7218731 7218733
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