信越半導体株式会社
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■ 2023年 出願公開件数ランキング 第386位 87件
（
2022年：第428位 76件）
■ 2023年 特許取得件数ランキング 第364位 86件
（2022年：第392位 75件）
（ランキング更新日：2024年11月22日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7279552 | 電子デバイス用基板およびその製造方法 | 2023年 5月23日 | |
| 特許 7279682 | シリコンウェーハの評価方法 | 2023年 5月23日 | |
| 特許 7279753 | シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法 | 2023年 5月23日 | |
| 特許 7276190 | シリコン単結晶の製造方法 | 2023年 5月18日 | |
| 特許 7276221 | 接合ウェーハの製造方法及び接合ウェーハ | 2023年 5月18日 | |
| 特許 7276242 | シリコンウェーハのエッチング方法及びエッチング装置 | 2023年 5月18日 | |
| 特許 7276246 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法及びウェーハの両面研磨方法 | 2023年 5月18日 | |
| 特許 7276272 | シリコンウエーハ中の酸素の拡散係数の算出方法 | 2023年 5月18日 | |
| 特許 7276582 | エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 5月18日 | |
| 特許 7272412 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 | 2023年 5月12日 | |
| 特許 7264100 | シリコン単結晶基板中のドナー濃度の制御方法 | 2023年 4月25日 | |
| 特許 7259906 | ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2023年 4月18日 | |
| 特許 7251419 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2023年 4月 4日 | |
| 特許 7251516 | ウェーハの欠陥領域の判定方法 | 2023年 4月 4日 | |
| 特許 7251517 | エピタキシャル成長前処理条件の評価方法 | 2023年 4月 4日 |
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7279552 7279682 7279753 7276190 7276221 7276242 7276246 7276272 7276582 7272412 7264100 7259906 7251419 7251516 7251517
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