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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7171573 | 半導体処理のための円錐形ウエハセンタリングおよび保持装置 | 2022年11月15日 | |
特許 7170386 | 堆積期間にわたる基板温度を変化させることによる界面反応の抑制 | 2022年11月14日 | |
特許 7168642 | 背面ガス供給管を備えた基板ペデスタルモジュールおよびその製造方法 | 2022年11月 9日 | |
特許 7166746 | 結合リング内に電極を使用することによってエッジ領域におけるイオンの方向性を制御するためのシステム | 2022年11月 8日 | |
特許 7165506 | パターニング用途のための原子層エッチング、反応性前駆体、及びエネルギ源 | 2022年11月 4日 | |
特許 7163289 | ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド | 2022年10月31日 | |
特許 7159180 | 原子層エッチングにおける方向性の制御 | 2022年10月24日 | |
特許 7145893 | ウエハ保持装置上におけるめっきの遠隔検知 | 2022年10月 3日 | |
特許 7122422 | プラズマ処理システム | 2022年 8月19日 | |
特許 7117419 | ウエハ裏面における堆積の低減のための可変温度ハードウェアおよび方法 | 2022年 8月12日 | |
特許 7113010 | アクティブシャワーヘッド | 2022年 8月 4日 | |
特許 7111449 | ウエハエッジにおける方位角方向の厚さの均一性を向上させるためのポケット内ウエハのセンタリング | 2022年 8月 2日 | |
特許 7111460 | メサ間の領域の深さが異なる基板支持体および対応する温度依存の加工方法 | 2022年 8月 2日 | |
特許 7101778 | プラズマチャンバ内で使用するためのリング構造およびシステム | 2022年 7月15日 | |
特許 7097983 | 単一プラズマチャンバにおける、限界寸法制御のための原子層堆積及びエッチング | 2022年 7月 8日 |
53 件中 16-30 件を表示
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7171573 7170386 7168642 7166746 7165506 7163289 7159180 7145893 7122422 7117419 7113010 7111449 7111460 7101778 7097983
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11月22日(金) -
11月22日(金) - 大阪 大阪市
11月22日(金) -
11月22日(金) -
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11月25日(月) - 岐阜 各務原市
11月26日(火) -
11月26日(火) - 東京 港区
11月26日(火) -
11月26日(火) -
11月26日(火) -
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11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
11月27日(水) -
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11月28日(木) - 島根 松江市
11月28日(木) - 京都 京都市
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11月28日(木) - 大阪 大阪市
11月28日(木) -
11月29日(金) - 東京 港区
11月29日(金) - 茨城 ひたちなか市
11月30日(土) -
12月1日(日) -
12月1日(日) -
11月25日(月) -
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