株式会社ＳＵＭＣＯ
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第321位 122件
（
2018年：第347位 110件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
（2018年：第310位 93件）
（ランキング更新日：2025年2月21日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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株式会社ＳＵＭＣＯの商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6579046 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 9月25日 | |
| 特許 6579056 | ウェーハの両面研磨方法 | 2019年 9月25日 | |
| 特許 6575643 | シリコンウェーハの製造方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6572790 | ウェーハの両面研磨方法 | 2019年 9月11日 | |
| 特許 6569485 | 原料のリチャージ又は単結晶引上げに用いられる蓋付容器 | 2019年 9月 4日 | |
| 特許 6569605 | 積層基板の製造方法および積層基板 | 2019年 9月 4日 | |
| 特許 6569613 | シリコンウェーハの評価方法及び製造方法 | 2019年 9月 4日 | |
| 特許 6569628 | 劣化評価方法およびシリコン材料の製造方法 | 2019年 9月 4日 | |
| 特許 6570074 | チャック機構 | 2019年 9月 4日 | |
| 特許 6565624 | シリコンウェーハの品質評価方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2019年 8月28日 | |
| 特許 6565780 | ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法 | 2019年 8月28日 | |
| 特許 6565810 | 中性子照射シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 8月28日 | |
| 特許 6561682 | シリコンウェーハの工程計画立案システム、工程計画立案装置、工程計画立案方法及びプログラム | 2019年 8月21日 | |
| 特許 6561954 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2019年 8月21日 | |
| 特許 6555103 | シリコンウェーハの評価方法およびその利用 | 2019年 8月 7日 |
146 件中 31-45 件を表示
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6579046 6579056 6575643 6572790 6569485 6569605 6569613 6569628 6570074 6565624 6565780 6565810 6561682 6561954 6555103
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