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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第321位 122件
(2018年:第347位 110件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
(2018年:第310位 93件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6551135 | 単結晶製造装置および製造方法 | 2019年 7月31日 | |
特許 6551335 | サセプタサポートシャフト及びエピタキシャル成長装置 | 2019年 7月31日 | |
特許 6547574 | 単結晶引上げ装置が備えるヒータ関連部材の選択方法 | 2019年 7月24日 | |
特許 6547839 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 7月24日 | |
特許 6544308 | 転位発生予測方法およびデバイス製造方法 | 2019年 7月17日 | |
特許 6539959 | エピタキシャルシリコンウェーハおよびその製造方法、ならびに、固体撮像素子の製造方法 | 2019年 7月10日 | |
特許 6540583 | 単結晶の製造方法および装置 | 2019年 7月10日 | |
特許 6540592 | 原料チャージ補助具及びこれを用いたチャージ管へのシリコン原料のチャージ方法並びにシリコン単結晶の製造方法 | 2019年 7月10日 | |
特許 6540607 | 接合ウェーハの製造方法および接合ウェーハ | 2019年 7月10日 | |
特許 6536461 | ウェーハ端面研磨パッド、ウェーハ端面研磨装置、及びウェーハ端面研磨方法 | 2019年 7月 3日 | |
特許 6536463 | エピタキシャル成長装置 | 2019年 7月 3日 | |
特許 6535432 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2019年 6月26日 | |
特許 6531579 | ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 | 2019年 6月19日 | |
特許 6531729 | シリコン試料の炭素濃度評価方法、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2019年 6月19日 | |
特許 6528178 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 6月12日 |
146 件中 46-60 件を表示
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6551135 6551335 6547574 6547839 6544308 6539959 6540583 6540592 6540607 6536461 6536463 6535432 6531579 6531729 6528178
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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2月27日(木) - 東京 港区
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