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株式会社SUMCO

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  2019年 出願公開件数ランキング    第321位 122件 上昇2018年:第347位 110件)

  2019年 特許取得件数ランキング    第185位 146件 上昇2018年:第310位 93件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 6493105 エピタキシャルシリコンウェーハ 2019年 4月 3日
特許 6493136 ウェーハ検査方法およびウェーハ検査装置 2019年 4月 3日
特許 6493179 ウェーハの評価方法、シリコンウェーハの製造方法、シリコン単結晶インゴット 2019年 4月 3日
特許 6493197 シリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハの製造方法およびシリコンゲルマニウムエピタキシャルウェーハ 2019年 4月 3日
特許 6493243 ウェーハの製造方法 2019年 4月 3日
特許 6493253 シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ 2019年 4月 3日
特許 6493498 半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 2019年 4月 3日
特許 6488607 単結晶SiCウェーハの製造方法 2019年 3月27日
特許 6488975 シリコン単結晶の引上げ方法 2019年 3月27日
特許 6488993 シリコン単結晶の酸素濃度の評価方法およびシリコン単結晶 2019年 3月27日
特許 6489004 クリーニング装置、クリーニング方法およびシリコン単結晶の製造方法 2019年 3月27日
特許 6489198 エピタキシャルウェーハの汚染評価方法および該方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 2019年 3月27日
特許 6489209 単結晶シリコンの製造方法および単結晶シリコン 2019年 3月27日
特許 6489232 III族窒化物半導体基板の製造方法及びIII族窒化物半導体基板 2019年 3月27日
特許 6491812 メンブレン、研磨ヘッド、ワークの研磨装置及び研磨方法、並びに、シリコンウェーハ 2019年 3月27日

146 件中 91-105 件を表示

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6493105 6493136 6493179 6493197 6493243 6493253 6493498 6488607 6488975 6488993 6489004 6489198 6489209 6489232 6491812

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