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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第321位 122件
(2018年:第347位 110件)
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第185位 146件
(2018年:第310位 93件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6528527 | ツルーアーの製造方法および半導体ウェーハの製造方法、ならびに半導体ウェーハの面取り加工装置 | 2019年 6月12日 | |
特許 6528710 | シリコン試料の炭素濃度測定方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2019年 6月12日 | |
特許 6529715 | シリコンウェーハの製造方法 | 2019年 6月12日 | |
特許 6524862 | SOIウェーハの製造方法およびSOIウェーハ | 2019年 6月 5日 | |
特許 6525046 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2019年 6月 5日 | |
特許 6519422 | 単結晶の製造方法および装置 | 2019年 5月29日 | |
特許 6520050 | リフトピン、該リフトピンを用いたエピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 5月29日 | |
特許 6520205 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法、それを用いた半導体ウェーハの判定方法および製造方法 | 2019年 5月29日 | |
特許 6520479 | DLTS測定装置の管理方法 | 2019年 5月29日 | |
特許 6520754 | スリップ転位の発生予測方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法、シリコンウェーハの熱処理方法およびシリコンウェーハ | 2019年 5月29日 | |
特許 6521140 | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 5月29日 | |
特許 6515791 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 5月22日 | |
特許 6515843 | 表面付着物の検査装置及び検査方法 | 2019年 5月22日 | |
特許 6516957 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハの製造方法 | 2019年 5月22日 | |
特許 6512075 | エピタキシャルウェーハの製造装置 | 2019年 5月15日 |
146 件中 61-75 件を表示
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6528527 6528710 6529715 6524862 6525046 6519422 6520050 6520205 6520479 6520754 6521140 6515791 6515843 6516957 6512075
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2月22日(土) - 東京 板橋区
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2月25日(火) -
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2月26日(水) -
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2月27日(木) -
2月27日(木) - 東京 港区
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