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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件
(
2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件
(
2020年:第290位 95件)
(ランキング更新日:2025年11月19日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6950639 | シリコン単結晶の炭素濃度測定方法及び装置 | 2021年10月13日 | |
| 特許 6943046 | シリコン単結晶製造装置 | 2021年 9月29日 | |
| 特許 6939714 | 融液面と種結晶の間隔測定方法、種結晶の予熱方法、及び単結晶の製造方法 | 2021年 9月22日 | |
| 特許 6939752 | シリコンウェーハのヘリカル面取り加工方法 | 2021年 9月22日 | |
| 特許 6935790 | 石英るつぼ内周面の評価方法及び石英るつぼ内周面の評価装置 | 2021年 9月15日 | |
| 特許 6936445 | シリカガラスルツボ、シリコン単結晶の引き上げ装置およびシリコン単結晶の製造方法 | 2021年 9月15日 | |
| 特許 6933265 | III族窒化物半導体基板の製造方法 | 2021年 9月 8日 | |
| 特許 6930435 | 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2021年 9月 1日 | |
| 特許 6930458 | シリコン融液の対流パターン推定方法、シリコン単結晶の酸素濃度推定方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置 | 2021年 9月 1日 | |
| 特許 6930459 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 9月 1日 | |
| 特許 6919579 | 貼り合わせウェーハの製造方法、貼り合わせウェーハ | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922527 | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922804 | ボロンドープp型シリコンウェーハのエッチング方法、金属汚染評価方法および製造方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922831 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922860 | シリコンウェーハの検査方法、検査装置、製造方法 | 2021年 8月18日 |
93 件中 16-30 件を表示
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6950639 6943046 6939714 6939752 6935790 6936445 6933265 6930435 6930458 6930459 6919579 6922527 6922804 6922831 6922860
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11月19日(水) -
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11月19日(水) - 東京 港区
11月19日(水) -
11月19日(水) -
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11月20日(木) - 東京 港区
11月20日(木) - 東京 千代田区
11月20日(木) -
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11月21日(金) -
11月21日(金) -
11月21日(金) -
11月19日(水) -
11月25日(火) -
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11月26日(水) -
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11月27日(木) - 東京 港区
11月27日(木) - 東京 千代田区
11月27日(木) -
11月28日(金) - 東京 千代田区
11月28日(金) - 東京 千代田区
11月28日(金) - 大阪 大阪市
【大阪会場】 前田知財塾 ~スキルアップ編~ 知財の仕事を、もっと深く、もっと面白く! 第1回 「発明発掘・権利化業務」
11月28日(金) - 東京 千代田区
11月28日(金) - 東京 千代田区
11月28日(金) -
11月29日(土) -
11月25日(火) -
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