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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件
(
2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件
(
2020年:第290位 95件)
(ランキング更新日:2025年11月20日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6922870 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6922982 | 石英ガラスルツボ | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6923067 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 | 2021年 8月18日 | |
| 特許 6913729 | pn接合シリコンウェーハ | 2021年 8月 4日 | |
| 特許 6911814 | シリコンウェーハの評価方法 | 2021年 7月28日 | |
| 特許 6911818 | エピタキシャルウェーハの製造条件決定方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 7月28日 | |
| 特許 6911950 | 半導体ウェーハの洗浄装置および半導体ウェーハの洗浄方法 | 2021年 7月28日 | |
| 特許 6897764 | シリコン単結晶の製造方法、および、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 7月 7日 | |
| 特許 6897497 | シリコンブロックの品質判定方法、シリコンブロックの品質判定プログラム、およびシリコン単結晶の製造方法 | 2021年 6月30日 | |
| 特許 6891655 | 半導体ウェーハの製造方法および半導体ウェーハ | 2021年 6月18日 | |
| 特許 6885453 | SOIウェーハの片面研磨システム及びそれを用いたSOIウェーハの片面研磨方法 | 2021年 6月16日 | |
| 特許 6888568 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 6月16日 | |
| 特許 6885286 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 6月 9日 | |
| 特許 6885287 | 石英ルツボの不純物分析方法 | 2021年 6月 9日 | |
| 特許 6885301 | 単結晶の製造方法及び装置 | 2021年 6月 9日 |
93 件中 31-45 件を表示
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6922870 6922982 6923067 6913729 6911814 6911818 6911950 6897764 6897497 6891655 6885453 6888568 6885286 6885287 6885301
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