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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件
(2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件
(2020年:第290位 95件)
(ランキング更新日:2025年9月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6863319 | ウェーハの熱処理方法およびウェーハの製造方法 | 2021年 4月21日 | |
特許 6863506 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 4月21日 | |
特許 6855955 | レーザマークの印字方法、レーザマーク付きシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 4月 7日 | |
特許 6848846 | 貼合せウェーハの製造方法および貼合せウェーハ | 2021年 3月24日 | |
特許 6848849 | p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置 | 2021年 3月24日 | |
特許 6848850 | p型シリコンウェーハ中のFe濃度測定方法及びSPV測定装置 | 2021年 3月24日 | |
特許 6848900 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力の評価方法および該評価方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 3月24日 | |
特許 6849047 | 緩衝材 | 2021年 3月24日 | |
特許 6844529 | エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ | 2021年 3月17日 | |
特許 6844530 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2021年 3月17日 | |
特許 6844560 | シリコン融液の対流パターン制御方法、シリコン単結晶の製造方法、および、シリコン単結晶の引き上げ装置 | 2021年 3月17日 | |
特許 6841202 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 3月10日 | |
特許 6841217 | インゴットブロックの製造方法、半導体ウェーハの製造方法、およびインゴットブロックの製造装置 | 2021年 3月10日 | |
特許 6841218 | サセプタおよび該サセプタを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 3月10日 | |
特許 6834816 | シリコンウェーハの加工方法 | 2021年 2月24日 |
93 件中 61-75 件を表示
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6863319 6863506 6855955 6848846 6848849 6848850 6848900 6849047 6844529 6844530 6844560 6841202 6841217 6841218 6834816
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9月12日(金) -
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