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■ 2021年 出願公開件数ランキング 第360位 101件
(2020年:第356位 104件)
■ 2021年 特許取得件数ランキング 第298位 93件
(2020年:第290位 95件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6834831 | シリコン単結晶の製造方法 | 2021年 2月24日 | |
特許 6834836 | シリコン単結晶のOSF評価方法、エピタキシャルウェーハの検査方法、およびシリコン単結晶の製造方法 | 2021年 2月24日 | |
特許 6834932 | 貼り合わせウェーハ用の支持基板の製造方法および貼り合わせウェーハの製造方法 | 2021年 2月24日 | |
特許 6835006 | エピタキシャルシリコンウェーハにおける積層欠陥の発生予測方法及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 2月24日 | |
特許 6828674 | クリーニング方法、シリコン単結晶の製造方法、および、クリーニング装置 | 2021年 2月10日 | |
特許 6828811 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法 | 2021年 2月10日 | |
特許 6825509 | ダイヤモンド積層シリコンウェーハの製造方法およびダイヤモンド積層シリコンウェーハ | 2021年 2月 3日 | |
特許 6819631 | エピタキシャルシリコンウェーハの不純物ゲッタリング能力の評価方法 | 2021年 1月27日 | |
特許 6822432 | ウェーハの片面研磨方法 | 2021年 1月27日 | |
特許 6822518 | 研磨パッドの管理方法及び研磨パッドの管理システム | 2021年 1月27日 | |
特許 6812931 | 液面レベル検出装置の調整用治具および調整方法 | 2021年 1月13日 | |
特許 6812961 | エピタキシャル成長装置およびそれを用いた半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2021年 1月13日 | |
特許 6812962 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2021年 1月13日 | |
特許 6813096 | サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ | 2021年 1月13日 | |
特許 6806098 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2021年 1月 6日 |
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6834831 6834836 6834932 6835006 6828674 6828811 6825509 6819631 6822432 6822518 6812931 6812961 6812962 6813096 6806098
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