信越半導体株式会社
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第396位 96件
（
2018年：第424位 80件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
（
2018年：第275位 105件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6536517 | 結晶欠陥評価方法 | 2019年 7月 3日 | |
| 特許 6539128 | 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、並びに半導体デバイスの製造方法 | 2019年 7月 3日 | |
| 特許 6531743 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2019年 6月19日 | |
| 特許 6524944 | 気相エッチング方法及びエピタキシャル基板の製造方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6524954 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6524962 | フッ素樹脂成形品の製造方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6525080 | ウェーハの処理装置及び処理方法 | 2019年 6月 5日 | |
| 特許 6519593 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2019年 5月29日 | |
| 特許 6520777 | シリコン単結晶ウエハの評価方法 | 2019年 5月29日 | |
| 特許 6520782 | エピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 | 2019年 5月29日 | |
| 特許 6520795 | 膜厚分布測定方法 | 2019年 5月29日 | |
| 特許 6515866 | エピタキシャルウェーハの評価方法 | 2019年 5月22日 | |
| 特許 6513041 | 半導体ウェーハの熱処理方法 | 2019年 5月15日 | |
| 特許 6513174 | ウェーハ保持用キャリアの設計方法 | 2019年 5月15日 | |
| 特許 6507947 | 発光素子の製造方法 | 2019年 5月 8日 |
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6536517 6539128 6531743 6524944 6524954 6524962 6525080 6519593 6520777 6520782 6520795 6515866 6513041 6513174 6507947
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