信越半導体株式会社
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■ 2019年 出願公開件数ランキング 第396位 96件
（
2018年：第424位 80件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
（
2018年：第275位 105件）
（ランキング更新日：2025年12月12日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6474048 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 2月27日 | |
| 特許 6475609 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 2月27日 | |
| 特許 6471710 | 単結晶ウェーハの評価方法 | 2019年 2月20日 | |
| 特許 6468037 | 研磨装置 | 2019年 2月13日 | |
| 特許 6459903 | 不純物分析方法及びシリコン単結晶製造方法 | 2019年 1月30日 | |
| 特許 6459987 | シリコン単結晶の製造方法 | 2019年 1月30日 | |
| 特許 6455294 | ワイヤソー装置 | 2019年 1月23日 | |
| 特許 6447332 | 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法 | 2019年 1月 9日 | |
| 特許 6447349 | Ｘ線結晶方位測定装置及びＸ線結晶方位測定方法 | 2019年 1月 9日 | |
| 特許 6447439 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2019年 1月 9日 | |
| 特許 6447960 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 1月 9日 |
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6474048 6475609 6471710 6468037 6459903 6459987 6455294 6447332 6447349 6447439 6447960
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