信越半導体株式会社
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（
2018年：第424位 80件）
■ 2019年 特許取得件数ランキング 第322位 84件
（
2018年：第275位 105件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6601378 | リチャージ管及びシリコン単結晶の製造方法 | 2019年11月 6日 | |
| 特許 6601420 | 単結晶製造方法及び単結晶引き上げ装置 | 2019年11月 6日 | |
| 特許 6598140 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年10月30日 | |
| 特許 6593235 | エピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 | 2019年10月23日 | |
| 特許 6589735 | ワイヤソー装置の製造方法 | 2019年10月16日 | |
| 特許 6579086 | デバイス形成方法 | 2019年 9月25日 | |
| 特許 6575463 | ウェーハの研磨方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6575477 | 抵抗率測定方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6575538 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6575603 | 発光素子の実装方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6575931 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6578089 | ウェーハ保持用キャリア並びにそれを用いたウェーハの両面研磨方法 | 2019年 9月18日 | |
| 特許 6572827 | 単結晶インゴットの切断方法 | 2019年 9月11日 | |
| 特許 6572830 | シリコンウェーハの搬送・保管方法 | 2019年 9月11日 | |
| 特許 6572839 | 半導体基板の評価方法 | 2019年 9月11日 |
86 件中 16-30 件を表示
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6601378 6601420 6598140 6593235 6589735 6579086 6575463 6575477 6575538 6575603 6575931 6578089 6572827 6572830 6572839
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