信越半導体株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第459位 73件
（
2019年：第396位 96件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6753390 | ワイヤソー装置およびウェーハの製造方法 | 2020年 9月 9日 | |
| 特許 6750342 | 発光素子の製造方法及び発光素子 | 2020年 9月 2日 | |
| 特許 6750592 | シリコンウエーハのエッジ形状の評価方法および評価装置、シリコンウエーハ、ならびにその選別方法および製造方法 | 2020年 9月 2日 | |
| 特許 6747376 | シリコンウエーハの研磨方法 | 2020年 8月26日 | |
| 特許 6747386 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2020年 8月26日 | |
| 特許 6741179 | シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 8月19日 | |
| 特許 6733802 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びサセプタ | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6735078 | 半導体基体及び半導体装置 | 2020年 8月 5日 | |
| 特許 6731161 | シリコン単結晶の欠陥領域特定方法 | 2020年 7月29日 | |
| 特許 6729275 | 発光素子及び発光素子の製造方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729526 | 欠陥サイズ分布の測定方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729632 | シリコンウェーハの洗浄方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6729697 | ワイヤソー装置及びワークの切断方法 | 2020年 7月22日 | |
| 特許 6720841 | 半導体シリコン単結晶の製造方法 | 2020年 7月 8日 | |
| 特許 6714867 | 抵抗率測定方法 | 2020年 7月 1日 |
75 件中 16-30 件を表示
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6753390 6750342 6750592 6747376 6747386 6741179 6733802 6735078 6731161 6729275 6729526 6729632 6729697 6720841 6714867
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