信越半導体株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第459位 73件
（
2019年：第396位 96件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6683277 | 半導体ウェーハの厚み測定方法及び半導体ウェーハの両面研磨装置 | 2020年 4月15日 | |
| 特許 6671640 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年 3月25日 | |
| 特許 6665797 | シリコン単結晶育成方法、シリコン単結晶及びシリコン単結晶ウェーハ | 2020年 3月13日 | |
| 特許 6665798 | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 | 2020年 3月13日 | |
| 特許 6665827 | ウェーハの両面研磨方法 | 2020年 3月13日 | |
| 特許 6662250 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2020年 3月11日 | |
| 特許 6662330 | 単結晶シリコン中の炭素濃度測定方法 | 2020年 3月11日 | |
| 特許 6653750 | 半導体基体及び半導体装置 | 2020年 2月26日 | |
| 特許 6651134 | 半導体単結晶基板の結晶欠陥検出方法 | 2020年 2月19日 | |
| 特許 6652202 | 両面研磨装置用キャリア及び両面研磨装置並びに両面研磨方法 | 2020年 2月19日 | |
| 特許 6645376 | 直径制御装置及びＦＺ単結晶の直径測定方法 | 2020年 2月14日 | |
| 特許 6645408 | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ | 2020年 2月14日 | |
| 特許 6645409 | シリコン単結晶製造方法 | 2020年 2月14日 | |
| 特許 6645488 | 半導体型蛍光体 | 2020年 2月14日 | |
| 特許 6645873 | 研磨用組成物 | 2020年 2月14日 |
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6683277 6671640 6665797 6665798 6665827 6662250 6662330 6653750 6651134 6652202 6645376 6645408 6645409 6645488 6645873
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