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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特許 6646876	シリコン結晶の炭素濃度測定方法	2020年 2月14日
特許 6644351	質量スペクトルのデータの処理方法及び質量分析装置	2020年 2月12日
特許 6641670	枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法	2020年 2月 5日
特許 6642597	ウェーハ洗浄処理装置及びウェーハ洗浄方法	2020年 2月 5日
特許 6638636	ポリマーの保護性評価方法	2020年 1月29日
特許 6638888	シリコン結晶の窒素濃度測定方法	2020年 1月29日
特許 6634962	シリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2020年 1月22日
特許 6635088	シリコンウエーハの研磨方法	2020年 1月22日
特許 6631425	発光素子及び発光素子の製造方法	2020年 1月15日
特許 6631454	石英ルツボ嵌合部材及びこれを用いた石英ルツボの改質方法	2020年 1月15日
特許 6631468	残湯吸引器のノズル位置の設定方法	2020年 1月15日
特許 6627737	単結晶引上げ装置	2020年 1月 8日
特許 6627793	結晶育成方法	2020年 1月 8日
特許 6627800	シリコン単結晶ウエハの欠陥領域判定方法	2020年 1月 8日
特許 6628065	気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置用のアタッチメント	2020年 1月 8日

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6646876 6644351 6641670 6642597 6638636 6638888 6634962 6635088 6631425 6631454 6631468 6627737 6627793 6627800 6628065

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