信越半導体株式会社
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■ 2020年 出願公開件数ランキング 第459位 73件
（
2019年：第396位 96件）
■ 2020年 特許取得件数ランキング 第364位 72件
（2019年：第322位 84件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6714874 | ウェーハ評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年 7月 1日 | |
| 特許 6708173 | リチャージ管及び単結晶の製造方法 | 2020年 6月10日 | |
| 特許 6708270 | 発光素子 | 2020年 6月10日 | |
| 特許 6702485 | ウェーハ外周歪みの評価方法 | 2020年 6月 3日 | |
| 特許 6705362 | 研磨ヘッドおよび研磨装置 | 2020年 6月 3日 | |
| 特許 6705399 | ウェーハの製造方法 | 2020年 6月 3日 | |
| 特許 6702141 | 単結晶引上げ装置 | 2020年 5月27日 | |
| 特許 6702268 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2020年 5月27日 | |
| 特許 6702270 | 半導体基板の評価方法 | 2020年 5月27日 | |
| 特許 6693460 | ワークの切断方法 | 2020年 5月13日 | |
| 特許 6693485 | 炭素濃度測定方法 | 2020年 5月13日 | |
| 特許 6689494 | シリコン中の炭素検出方法 | 2020年 4月28日 | |
| 特許 6690606 | 研磨方法 | 2020年 4月28日 | |
| 特許 6686955 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2020年 4月22日 | |
| 特許 6686962 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2020年 4月22日 |
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6714874 6708173 6708270 6702485 6705362 6705399 6702141 6702268 6702270 6693460 6693485 6689494 6690606 6686955 6686962
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