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信越半導体株式会社

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信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2023-122671	高周波デバイス用基板、及びその製造方法	2023年 9月 5日
特開 2023-118186	シリコン基板上へのダイヤモンド成長方法、及びシリコン基板上への選択的ダイヤモンド成長方法	2023年 8月25日
特開 2023-113270	半導体ウェーハの製造方法	2023年 8月16日
特開 2023-113512	エピタキシャルウェーハの製造方法	2023年 8月16日
特開 2023-112235	膜厚測定装置用の標準サンプル群、その製造方法及び標準サンプル群を用いた膜厚測定装置の管理方法	2023年 8月14日
特開 2023-109637	端面部測定装置および端面部測定方法	2023年 8月 8日
特開 2023-108951	シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法	2023年 8月 7日
特開 2023-107334	両面研磨装置	2023年 8月 3日
特開 2023-106660	半導体基板の評価方法	2023年 8月 2日
特開 2023-106780	半導体基板の評価方法	2023年 8月 2日
特開 2023-103015	炭化珪素単結晶製造方法、及び炭化珪素単結晶製造装置	2023年 7月26日
特開 2023-102639	マイクロＬＥＤ構造体を有するウェーハ、マイクロＬＥＤ構造体を有するウェーハの製造方法およびマイクロＬＥＤ構造体を有する接合型半導体ウェーハの製造方法	2023年 7月25日
特開 2023-100164	窒化物半導体基板及びその製造方法	2023年 7月18日
特開 2023-98455	梱包体、密閉収納容器の梱包方法、及び輸送方法	2023年 7月10日
特開 2023-94473	窒化物半導体基板及びその製造方法	2023年 7月 5日

87 件中 31-45 件を表示

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2023-122671 2023-118186 2023-113270 2023-113512 2023-112235 2023-109637 2023-108951 2023-107334 2023-106660 2023-106780 2023-103015 2023-102639 2023-100164 2023-98455 2023-94473

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