特許ランキング - 出願人詳細情報 -

信越半導体株式会社

※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて

　■　2023年出願公開件数ランキング　　　第386位　87件（2022年：第428位　76件）

　■　2023年特許取得件数ランキング　　　第364位　86件（2022年：第392位　75件）

（ランキング更新日：2024年11月13日）筆頭出願人である出願のみカウントしています

2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2024年

信越半導体株式会社の商標一覧

公報番号	発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)	公報発行日
特開 2023-72744	シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハの加工変質層除去方法	2023年 5月25日
特開 2023-69889	酸化膜の膜厚評価方法及び酸化膜付きシリコン基板の製造方法	2023年 5月18日
特開 2023-66285	接合型半導体ウェーハの製造方法	2023年 5月15日
特開 2023-62562	異物の検出方法	2023年 5月 8日
特開 2023-61116	シリコン単結晶ウェーハの欠陥の種類の特定方法	2023年 5月 1日
特開 2023-60611	接合型半導体ウェーハの製造方法	2023年 4月28日
特開 2023-54965	シリコンウエーハ及びＳＯＩウエーハ並びにそれらの製造方法	2023年 4月17日
特開 2023-53693	窒化物半導体ウェーハの製造方法、及び窒化物半導体ウェーハ	2023年 4月13日
特開 2023-45163	ヘテロエピタキシャルウェーハの製造方法	2023年 4月 3日
特開 2023-39743	窒化物半導体基板の製造方法	2023年 3月22日
特開 2023-38054	シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法、並びに洗浄液中の過酸化水素濃度評価方法および過酸化水素濃度管理方法	2023年 3月16日
特開 2023-35388	シリコンウェーハの洗浄方法および製造方法	2023年 3月13日
特開 2023-32276	窒化物半導体基板及びその製造方法	2023年 3月 9日
特開 2023-27462	軌道清掃装置	2023年 3月 2日
特開 2023-25432	窒化物半導体基板及びその製造方法	2023年 2月22日

87 件中 61-75 件を表示

... 5

※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。

このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー

2023-72744 2023-69889 2023-66285 2023-62562 2023-61116 2023-60611 2023-54965 2023-53693 2023-45163 2023-39743 2023-38054 2023-35388 2023-32276 2023-27462 2023-25432

※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。

ログインについて

ランキング一覧に戻る

特許ランキング

2024年特許出願件数	2024年特許取得件数
2022年特許出願件数	2022年特許取得件数
2021年特許出願件数	2021年特許取得件数
2020年特許出願件数	2020年特許取得件数
2019年特許出願件数	2019年特許取得件数
2018年特許出願件数	2018年特許取得件数
2017年特許出願件数	2017年特許取得件数
2016年特許出願件数	2016年特許取得件数
2015年特許出願件数	2015年特許取得件数
2014年特許出願件数	2014年特許取得件数
2013年特許出願件数	2013年特許取得件数
2012年特許出願件数	2012年特許取得件数
2011年特許出願件数	2011年特許取得件数