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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特開 2022-145838 | 高度なパターン形成用途のためのインサイチュでの選択的堆積及びエッチング | 2022年10月 4日 | |
特表 2022-541535 | 領域選択的堆積における横方向のフィルム成長を緩和するための方法 | 2022年 9月26日 | |
特表 2022-539816 | 高K金属ゲート(HKMG)膜スタックの選択的成膜を介した閾値電圧の調整方法 | 2022年 9月13日 | |
特表 2022-537347 | 選択的な窒化ホウ素又は窒化アルミニウムの堆積による高度に選択的な酸化ケイ素/窒化ケイ素のエッチング | 2022年 8月25日 | |
特表 2022-537125 | 半導体デバイスの平坦化 | 2022年 8月24日 | |
特表 2022-535212 | 化合物材料を乾式エッチングするための方法 | 2022年 8月 5日 | |
特表 2022-534858 | 複合ロジックセルのための小型3D積層CFETアーキテクチャ | 2022年 8月 4日 | |
特表 2022-534219 | 3Dロジック及びメモリのためのセルフアラインコンタクト | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-534220 | 3Dロジック及びメモリのための同軸コンタクト | 2022年 7月28日 | |
特表 2022-533246 | ハイパースペクトルイメージングを使用する半導体プロセスの光学的診断 | 2022年 7月21日 | |
特表 2022-530617 | 高い流量及び高い均一性を有するユースポイント動的濃度送達システム | 2022年 6月30日 | |
特表 2022-529229 | 半導体デバイスのダイレベルの一意な認証及びシリアライゼーションのための方法 | 2022年 6月20日 | |
特表 2022-529123 | 電気及び光学マーキングを用いた半導体デバイスのダイレベルの一意な認証及びシリアライゼーションのための方法 | 2022年 6月17日 | |
特表 2022-527552 | 高度に選択的な酸化ケイ素/窒化ケイ素エッチングのためのエッチング成分及び不動態化ガス成分の独立した制御 | 2022年 6月 2日 | |
特表 2022-525938 | VHFプラズマ処理のためのシステム及び方法 | 2022年 5月20日 |
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2022-145838 2022-541535 2022-539816 2022-537347 2022-537125 2022-535212 2022-534858 2022-534219 2022-534220 2022-533246 2022-530617 2022-529229 2022-529123 2022-527552 2022-525938
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2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月13日(木) - 岐阜 大垣市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月13日(木) - 神奈川 綾瀬市
2月13日(木) -
2月13日(木) -
2月14日(金) - 東京 大田
<エンジニア(技術者)および研究開発担当(R&D部門)向け> 基礎から学ぶ/自分で行うIPランドスケープ®の活用・実践 <東京会場受講(対面)/Zoomオンライン受講 選択可> <見逃し視聴選択可>
2月14日(金) - 東京 千代田区
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