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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第347位 110件 (2017年:第303位 145件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件 (2017年:第394位 68件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6301531 | シリカガラスルツボの製造方法 | 2018年 3月28日 | |
特許 6295815 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2018年 3月20日 | |
特許 6296145 | 単結晶ウェーハの劈開方法、単結晶ウェーハの遷移金属汚染の評価方法、及び単結晶ウェーハ劈開用治具 | 2018年 3月20日 | |
特許 6288371 | サセプタ、エピタキシャル成長装置、及びエピタキシャルウェーハ | 2018年 3月 7日 | |
特許 6289805 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2018年 3月 7日 | |
特許 6281312 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年 2月21日 | |
特許 6278591 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2018年 2月14日 | |
特許 6278592 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、半導体エピタキシャルウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2018年 2月14日 | |
特許 6280301 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2018年 2月14日 | |
特許 6268936 | シリコン単結晶製造方法 | 2018年 1月31日 | |
特許 6269709 | 清浄度評価方法、洗浄条件決定方法、およびシリコンウェーハの製造方法 | 2018年 1月31日 | |
特許 6263999 | シリコン単結晶の育成方法 | 2018年 1月24日 | |
特許 6264058 | シリコンの溶解方法及びその装置並びに該装置を備えたシリコン単結晶製造装置 | 2018年 1月24日 | |
特許 6265291 | 貼り合わせウェーハの製造方法および貼り合わせウェーハ | 2018年 1月24日 | |
特許 6265575 | シリコン単結晶引き上げ方法 | 2018年 1月24日 |
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6301531 6295815 6296145 6288371 6289805 6281312 6278591 6278592 6280301 6268936 6269709 6263999 6264058 6265291 6265575
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
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