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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第347位 110件
(2017年:第303位 145件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件
(2017年:第394位 68件)
(ランキング更新日:2025年5月23日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 6428574 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年11月28日 | |
特許 6428796 | 単結晶引き上げ装置のクリーニング方法及びこれに用いるクリーニング用具並びに単結晶の製造方法 | 2018年11月28日 | |
特許 6424703 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年11月21日 | |
特許 6424726 | サセプタ及びエピタキシャル成長装置 | 2018年11月21日 | |
特許 6421552 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年11月14日 | |
特許 6421640 | 半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法および半導体ウェーハの枚葉式片面研磨装置 | 2018年11月14日 | |
特許 6418085 | シリコン単結晶の検査方法および製造方法 | 2018年11月 7日 | |
特許 6418130 | 半導体ウェーハの加工方法 | 2018年11月 7日 | |
特許 6418174 | シリコンウェーハの片面研磨方法 | 2018年11月 7日 | |
特許 6413238 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2018年10月31日 | |
特許 6413952 | シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | 2018年10月31日 | |
特許 6414161 | シリコン単結晶の製造方法及び装置 | 2018年10月31日 | |
特許 6414408 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年10月31日 | |
特許 6409718 | 単結晶の製造方法 | 2018年10月24日 | |
特許 6405618 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年10月17日 |
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6428574 6428796 6424703 6424726 6421552 6421640 6418085 6418130 6418174 6413238 6413952 6414161 6414408 6409718 6405618
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契約の「基礎」から分かる!! 秘密保持契約と共同開発契約のポイント ~ ケーススタディを通じて契約締結交渉の実践力も養う ~
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