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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第347位 110件
(2017年:第303位 145件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件
(2017年:第394位 68件)
(ランキング更新日:2025年9月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6405827 | シリカガラスルツボの製造方法 | 2018年10月17日 | |
特許 6405828 | ルツボ測定方法 | 2018年10月17日 | |
特許 6406238 | ウェーハ研磨方法および研磨装置 | 2018年10月17日 | |
特許 6399141 | シリコンウェーハの金属汚染分析方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2018年10月 3日 | |
特許 6394337 | 吸着チャック、面取り研磨装置、及び、シリコンウェーハの面取り研磨方法 | 2018年 9月26日 | |
特許 6390221 | DNAチップ及びその製造方法 | 2018年 9月19日 | |
特許 6390222 | バイオチップ及びその製造方法 | 2018年 9月19日 | |
特許 6390568 | 酸化ガリウム単結晶育成用ルツボおよび酸化ガリウム単結晶の製造方法 | 2018年 9月19日 | |
特許 6387811 | シリコン単結晶の育成方法 | 2018年 9月12日 | |
特許 6388058 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年 9月12日 | |
特許 6380063 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、および、気相成長装置 | 2018年 8月29日 | |
特許 6380333 | ウェーハ研磨装置およびこれに用いる研磨ヘッド | 2018年 8月29日 | |
特許 6380582 | エピタキシャルウェーハの裏面検査方法、エピタキシャルウェーハ裏面検査装置、エピタキシャル成長装置のリフトピン管理方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 8月29日 | |
特許 6376249 | 選別装置、選別装置の製造方法およびシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2018年 8月22日 | |
特許 6373273 | 研磨剤組成物、シリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法 | 2018年 8月15日 |
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6405827 6405828 6406238 6399141 6394337 6390221 6390222 6390568 6387811 6388058 6380063 6380333 6380582 6376249 6373273
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