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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第347位 110件 (2017年:第303位 145件)
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第310位 93件 (2017年:第394位 68件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 6373950 | シリコン単結晶の製造方法及びこれに用いるシリカガラスルツボの検査方法及び検査システム | 2018年 8月15日 | |
特許 6369263 | ワークの研磨装置およびワークの製造方法 | 2018年 8月 8日 | |
特許 6369297 | 半導体ウェーハの支持方法及びその支持装置 | 2018年 8月 8日 | |
特許 6365218 | 単結晶の製造方法及び製造装置 | 2018年 8月 1日 | |
特許 6361482 | 気相成長装置の汚染管理方法、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2018年 7月25日 | |
特許 6361720 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法及び評価装置並びに製造方法 | 2018年 7月25日 | |
特許 6361779 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法 | 2018年 7月25日 | |
特許 6350637 | 半導体ウェーハの評価基準の設定方法、半導体ウェーハの評価方法、半導体ウェーハ製造工程の評価方法、および半導体ウェーハの製造方法 | 2018年 7月 4日 | |
特許 6344168 | ボロンドープp型シリコンウェーハの金属汚染評価方法および評価装置、ならびにボロンドープp型シリコンウェーハの製造方法 | 2018年 6月20日 | |
特許 6341083 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2018年 6月13日 | |
特許 6341229 | 結晶欠陥の評価方法、シリコンウェーハの製造方法及び結晶欠陥の評価装置 | 2018年 6月13日 | |
特許 6336867 | ルツボ測定装置 | 2018年 6月 6日 | |
特許 6330941 | エピタキシャル成長装置およびプリヒートリングならびにそれらを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 5月30日 | |
特許 6332422 | シリコンウェーハの製造方法 | 2018年 5月30日 | |
特許 6327007 | 研削装置および研削方法 | 2018年 5月23日 |
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6373950 6369263 6369297 6365218 6361482 6361720 6361779 6350637 6344168 6341083 6341229 6336867 6330941 6332422 6327007
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12月1日(日) -
12月1日(日) -
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