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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件 (2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件 (2021年:第298位 93件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7035748 | ワークの両面研磨装置 | 2022年 3月15日 | |
特許 7035923 | インゴットのVノッチ評価方法、インゴットのVノッチ加工方法、およびインゴットのVノッチ評価装置 | 2022年 3月15日 | |
特許 7035925 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | 2022年 3月15日 | |
特許 7035996 | 気相成長装置およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 3月15日 | |
特許 7036043 | 高抵抗材料の抵抗率測定方法 | 2022年 3月15日 | |
特許 7036116 | シリコン単結晶の製造方法 | 2022年 3月15日 | |
特許 7036217 | シリコン単結晶の育成方法 | 2022年 3月15日 | |
特許 7031491 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2022年 3月 8日 | |
特許 7031555 | シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法 | 2022年 3月 8日 | |
特許 7031611 | 単結晶引上装置のクリーニング装置、クリーニング方法 | 2022年 3月 8日 | |
特許 7028154 | 埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハにおけるシリコンエピタキシャル層の膜厚測定装置および膜厚測定方法、ならびに当該膜厚測定装置または当該膜厚測定方法を用いた埋込み拡散層付きエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 3月 2日 | |
特許 7024668 | SOIウェーハ及びその製造方法 | 2022年 2月24日 | |
特許 7024700 | 石英ガラスルツボ | 2022年 2月24日 | |
特許 7021626 | 原料供給方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2022年 2月17日 | |
特許 7021632 | ウェーハの製造方法およびウェーハ | 2022年 2月17日 |
113 件中 76-90 件を表示
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7035748 7035923 7035925 7035996 7036043 7036116 7036217 7031491 7031555 7031611 7028154 7024668 7024700 7021626 7021632
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