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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件
(2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件
(2021年:第298位 93件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
---|---|---|---|
特許 7063259 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2022年 5月 9日 | |
特許 7059871 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | 2022年 4月26日 | |
特許 7059908 | 熱伝導率推定方法、熱伝導率推定装置、半導体結晶製品の製造方法、熱伝導率演算装置、熱伝導率演算プログラム、および、熱伝導率演算方法 | 2022年 4月26日 | |
特許 7056608 | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 4月19日 | |
特許 7052694 | シリコン単結晶の製造方法 | 2022年 4月12日 | |
特許 7052770 | 評価体、評価システム、評価体の製造方法、および評価方法 | 2022年 4月12日 | |
特許 7052771 | 片面研磨装置へのウェーハ装填装置 | 2022年 4月12日 | |
特許 7047752 | 単結晶シリコンの製造方法 | 2022年 4月 5日 | |
特許 7047797 | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法及びテラス加工装置 | 2022年 4月 5日 | |
特許 7047924 | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ | 2022年 4月 5日 | |
特許 7043899 | 半導体ウェーハのゲッタリング能力評価方法 | 2022年 3月30日 | |
特許 7040478 | クラスターイオンビーム生成方法及びクラスターイオンビーム照射方法 | 2022年 3月23日 | |
特許 7040491 | シリコン単結晶の製造時におけるギャップサイズ決定方法、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2022年 3月23日 | |
特許 7040591 | シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 3月23日 | |
特許 7040608 | 半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 | 2022年 3月23日 |
113 件中 61-75 件を表示
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7063259 7059871 7059908 7056608 7052694 7052770 7052771 7047752 7047797 7047924 7043899 7040478 7040491 7040591 7040608
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