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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件 (2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件 (2021年:第298位 93件)
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7006544 | SOIウェーハ及びその製造方法 | 2022年 2月10日 | |
特許 7017133 | 欠陥評価装置の調整状態評価方法及び調整方法 | 2022年 2月 8日 | |
特許 7003897 | ウェーハの製造方法、ワイヤーソー用再利用スラリーの品質評価方法、及びワイヤーソー用使用済みスラリーの品質評価方法 | 2022年 2月 4日 | |
特許 7013984 | FZ炉の多結晶原料把持具 | 2022年 2月 1日 | |
特許 7010166 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2022年 1月26日 | |
特許 7010179 | 単結晶の製造方法及び装置及びシリコン単結晶インゴット | 2022年 1月26日 | |
特許 7006573 | 単結晶引き上げ装置、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2022年 1月24日 | |
特許 7006636 | シリコン単結晶製造装置 | 2022年 1月24日 | |
特許 7006788 | シリコン融液の対流パターン制御方法、および、シリコン単結晶の製造方法 | 2022年 1月24日 | |
特許 7003838 | 研磨ヘッド及びこれを用いたウェーハ研磨装置及び研磨方法 | 2022年 1月21日 | |
特許 7003904 | シリコンウェーハのバッチ式洗浄方法並びにその洗浄方法を用いたシリコンウェーハの製造方法及びシリコンウェーハの洗浄条件決定方法 | 2022年 1月21日 | |
特許 7003905 | 気相成長装置 | 2022年 1月21日 | |
特許 7003907 | 半導体ウェーハの端面評価方法、半導体ウェーハ収容容器の評価方法、半導体ウェーハ梱包形態の評価方法および半導体ウェーハ輸送形態の評価方法 | 2022年 1月21日 | |
特許 7004026 | ワークの両面研磨方法、ワークの製造方法、及びワークの両面研磨装置 | 2022年 1月21日 | |
特許 6996438 | 半導体ウェーハの洗浄方法、および該洗浄方法を用いた半導体ウェーハの製造方法 | 2022年 1月17日 |
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7006544 7017133 7003897 7013984 7010166 7010179 7006573 7006636 7006788 7003838 7003904 7003905 7003907 7004026 6996438
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