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■ 2022年 出願公開件数ランキング 第539位 58件
(2021年:第360位 101件)
■ 2022年 特許取得件数ランキング 第278位 113件
(2021年:第298位 93件)
(ランキング更新日:2025年9月1日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7135315 | リチャージ管、原料供給装置、単結晶引き上げ装置、リチャージ管の使用方法、リチャージ方法、単結晶引き上げ方法 | 2022年 9月13日 | |
特許 7135841 | ウェーハ移載装置、気相成長装置、ウェーハ移載方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 9月13日 | |
特許 7131513 | シリコン試料の前処理方法、シリコン試料の金属汚染評価方法、単結晶シリコンインゴット育成工程の評価方法、単結晶シリコンインゴットの製造方法およびシリコンウェーハの製造方法 | 2022年 9月 6日 | |
特許 7120187 | シリコン単結晶の育成方法およびシリコン単結晶の引き上げ装置 | 2022年 8月17日 | |
特許 7120464 | 誘導加熱コイル及びこれを用いた単結晶製造装置 | 2022年 8月17日 | |
特許 7115297 | 多結晶ダイヤモンド自立基板及びその製造方法 | 2022年 8月 9日 | |
特許 7115403 | ウェーハの回転検出方法及びウェーハの回転検出システム | 2022年 8月 9日 | |
特許 7110877 | ワークの両面研磨装置および両面研磨方法 | 2022年 8月 2日 | |
特許 7103210 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ | 2022年 7月20日 | |
特許 7103211 | 半導体ウェーハの評価方法および製造方法ならびに半導体ウェーハの製造工程管理方法 | 2022年 7月20日 | |
特許 7103269 | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法 | 2022年 7月20日 | |
特許 7099175 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコンウェーハ | 2022年 7月12日 | |
特許 7099398 | 気相成長方法及び気相成長装置 | 2022年 7月12日 | |
特許 7095725 | エピタキシャルシリコンウェーハ | 2022年 7月 5日 | |
特許 7094487 | シリカガラスルツボの製造装置およびシリカガラスルツボの製造方法 | 2022年 7月 4日 |
113 件中 31-45 件を表示
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7135315 7135841 7131513 7120187 7120464 7115297 7115403 7110877 7103210 7103211 7103269 7099175 7099398 7095725 7094487
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9月12日(金) -
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