信越半導体株式会社
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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第318位 124件
（
2014年：第313位 122件）
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第308位 89件
（2014年：第258位 155件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5803722 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年11月 4日 | |
| 特許 5803729 | 誘導加熱コイル及び該コイルを使用した単結晶の製造方法 | 2015年11月 4日 | |
| 特許 5799740 | 剥離ウェーハの再生加工方法 | 2015年10月28日 | |
| 特許 5799845 | ガスの金属汚染評価方法 | 2015年10月28日 | |
| 特許 5802436 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2015年10月28日 | |
| 特許 5794200 | シリコン原料の溶融方法 | 2015年10月14日 | |
| 特許 5794212 | 気相成長装置の汚染評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年10月14日 | |
| 特許 5790766 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年10月 7日 | |
| 特許 5791004 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 | 2015年10月 7日 | |
| 特許 5791642 | ワイヤソーの運転再開方法 | 2015年10月 7日 | |
| 特許 5782996 | 単結晶の製造方法 | 2015年 9月24日 | |
| 特許 5780211 | 単結晶育成装置 | 2015年 9月16日 | |
| 特許 5780234 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2015年 9月16日 | |
| 特許 5780491 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年 9月16日 | |
| 特許 5776586 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 9月 9日 |
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5803722 5803729 5799740 5799845 5802436 5794200 5794212 5790766 5791004 5791642 5782996 5780211 5780234 5780491 5776586
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