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信越半導体株式会社

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  2015年 出願公開件数ランキング    第318位 124件 下降2014年:第313位 122件)

  2015年 特許取得件数ランキング    第308位 89件 下降2014年:第258位 155件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 5803722 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2015年11月 4日
特許 5803729 誘導加熱コイル及び該コイルを使用した単結晶の製造方法 2015年11月 4日
特許 5799740 剥離ウェーハの再生加工方法 2015年10月28日
特許 5799845 ガスの金属汚染評価方法 2015年10月28日
特許 5802436 貼り合わせウェーハの製造方法 2015年10月28日
特許 5794200 シリコン原料の溶融方法 2015年10月14日
特許 5794212 気相成長装置の汚染評価方法及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2015年10月14日
特許 5790766 シリコン単結晶の製造方法 2015年10月 7日
特許 5791004 エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 2015年10月 7日
特許 5791642 ワイヤソーの運転再開方法 2015年10月 7日
特許 5782996 単結晶の製造方法 2015年 9月24日
特許 5780211 単結晶育成装置 2015年 9月16日
特許 5780234 SOIウェーハの製造方法 2015年 9月16日
特許 5780491 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 2015年 9月16日
特許 5776586 シリコン単結晶の製造方法 2015年 9月 9日

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5803722 5803729 5799740 5799845 5802436 5794200 5794212 5790766 5791004 5791642 5782996 5780211 5780234 5780491 5776586

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