信越半導体株式会社
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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第318位 124件
（
2014年：第313位 122件）
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第308位 89件
（2014年：第258位 155件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5673180 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2015年 2月18日 | |
| 特許 5673572 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2015年 2月18日 | |
| 特許 5668717 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 2月12日 | |
| 特許 5668718 | ＧａＮ自立基板の製造方法 | 2015年 2月12日 | |
| 特許 5664573 | シリコン融液面の高さ位置の算出方法およびシリコン単結晶の引上げ方法ならびにシリコン単結晶引上げ装置 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5664592 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2015年 2月 4日 | |
| 特許 5659493 | 気相成長方法 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5660013 | バンドソー切断装置及びインゴットの切断方法 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5660019 | 単結晶引上げ装置 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5660020 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5660026 | 膜厚分布測定方法 | 2015年 1月28日 | |
| 特許 5652379 | 半導体基板の評価方法および評価用半導体基板 | 2015年 1月14日 | |
| 特許 5648475 | 発光素子 | 2015年 1月 7日 | |
| 特許 5648623 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | 2015年 1月 7日 | |
| 特許 5648642 | シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 1月 7日 |
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5673180 5673572 5668717 5668718 5664573 5664592 5659493 5660013 5660019 5660020 5660026 5652379 5648475 5648623 5648642
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