信越半導体株式会社
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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第318位 124件
（
2014年：第313位 122件）
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第308位 89件
（2014年：第258位 155件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5742742 | 金属汚染評価方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5742761 | 金属汚染検出方法及びそれを用いたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5742780 | アルカリエッチング液及びこれを用いたアルカリエッチング方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5737202 | 半導体素子、及びその形成方法 | 2015年 6月17日 | |
| 特許 5733245 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2015年 6月10日 | |
| 特許 5726812 | シリコンウェーハの乾燥方法 | 2015年 6月 3日 | |
| 特許 5729098 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 | 2015年 6月 3日 | |
| 特許 5729351 | 半導体ウェーハの洗浄方法 | 2015年 6月 3日 | |
| 特許 5724400 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2015年 5月27日 | |
| 特許 5724890 | シリコン単結晶ウエーハ、その酸素析出量の面内均一性評価方法、シリコン単結晶の製造方法 | 2015年 5月27日 | |
| 特許 5724958 | 両頭研削装置及びワークの両頭研削方法 | 2015年 5月27日 | |
| 特許 5720550 | エピタキシャルウエーハの欠陥評価方法 | 2015年 5月20日 | |
| 特許 5720557 | 半導体基板の評価方法および半導体基板の製造方法 | 2015年 5月20日 | |
| 特許 5720560 | 半導体基板の評価方法 | 2015年 5月20日 | |
| 特許 5716612 | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置 | 2015年 5月13日 |
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5742742 5742761 5742780 5737202 5733245 5726812 5729098 5729351 5724400 5724890 5724958 5720550 5720557 5720560 5716612
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