信越半導体株式会社
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■ 2015年 出願公開件数ランキング 第318位 124件
（
2014年：第313位 122件）
■ 2015年 特許取得件数ランキング 第308位 89件
（2014年：第258位 155件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5776587 | 単結晶製造方法 | 2015年 9月 9日 | |
| 特許 5772491 | エピタキシャルウエーハ及びその製造方法 | 2015年 9月 2日 | |
| 特許 5772553 | シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 | 2015年 9月 2日 | |
| 特許 5768764 | 半導体単結晶棒の製造方法 | 2015年 8月26日 | |
| 特許 5768879 | 化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子 | 2015年 8月26日 | |
| 特許 5764937 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2015年 8月19日 | |
| 特許 5754651 | 気相成長装置の温度調整方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2015年 7月29日 | |
| 特許 5756830 | 半導体基板、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 | 2015年 7月29日 | |
| 特許 5751531 | 半導体基板の評価方法、評価用半導体基板、半導体装置 | 2015年 7月22日 | |
| 特許 5748717 | 両面研磨方法 | 2015年 7月15日 | |
| 特許 5741163 | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5741467 | 気相成長装置の清浄度評価方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5741497 | ウェーハの両面研磨方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5741528 | 原料充填方法及び単結晶の製造方法 | 2015年 7月 1日 | |
| 特許 5742739 | 金属汚染評価用シリコン基板の選別方法 | 2015年 7月 1日 |
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5776587 5772491 5772553 5768764 5768879 5764937 5754651 5756830 5751531 5748717 5741163 5741467 5741497 5741528 5742739
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