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信越半導体株式会社

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  2015年 特許取得件数ランキング    第308位 89件 下降2014年:第258位 155件)

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特許 5776587 単結晶製造方法 2015年 9月 9日
特許 5772491 エピタキシャルウエーハ及びその製造方法 2015年 9月 2日
特許 5772553 シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法 2015年 9月 2日
特許 5768764 半導体単結晶棒の製造方法 2015年 8月26日
特許 5768879 化合物半導体基板、及びその製造方法、並びにその化合物半導体基板を用いた発光素子 2015年 8月26日
特許 5764937 シリコン単結晶ウェーハの製造方法 2015年 8月19日
特許 5754651 気相成長装置の温度調整方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 2015年 7月29日
特許 5756830 半導体基板、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 2015年 7月29日
特許 5751531 半導体基板の評価方法、評価用半導体基板、半導体装置 2015年 7月22日
特許 5748717 両面研磨方法 2015年 7月15日
特許 5741163 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 2015年 7月 1日
特許 5741467 気相成長装置の清浄度評価方法 2015年 7月 1日
特許 5741497 ウェーハの両面研磨方法 2015年 7月 1日
特許 5741528 原料充填方法及び単結晶の製造方法 2015年 7月 1日
特許 5742739 金属汚染評価用シリコン基板の選別方法 2015年 7月 1日

90 件中 31-45 件を表示

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5776587 5772491 5772553 5768764 5768879 5764937 5754651 5756830 5751531 5748717 5741163 5741467 5741497 5741528 5742739

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