信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5900305 | Ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法 | 2016年 4月 6日 | |
| 特許 5895875 | 半導体単結晶の製造方法 | 2016年 3月30日 | |
| 特許 5896884 | 両面研磨方法 | 2016年 3月30日 | |
| 特許 5891959 | 単結晶製造装置 | 2016年 3月23日 | |
| 特許 5892109 | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 | 2016年 3月23日 | |
| 特許 5892389 | 研磨パッド及び研磨方法 | 2016年 3月23日 | |
| 特許 5888203 | ワイヤソー用スラリーの製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5888264 | 半導体単結晶の製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5888280 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5888286 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5884705 | 気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 3月15日 | |
| 特許 5880353 | シリコン単結晶の育成方法 | 2016年 3月 9日 | |
| 特許 5880415 | 単結晶の製造方法 | 2016年 3月 9日 | |
| 特許 5880974 | エピタキシャル成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 3月 9日 | |
| 特許 5877500 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 3月 8日 |
126 件中 91-105 件を表示
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5900305 5895875 5896884 5891959 5892109 5892389 5888203 5888264 5888280 5888286 5884705 5880353 5880415 5880974 5877500
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