信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5900305 | Ｎ型シリコンエピタキシャル層の抵抗率測定方法 | 2016年 4月 6日 | |
| 特許 5895875 | 半導体単結晶の製造方法 | 2016年 3月30日 | |
| 特許 5896884 | 両面研磨方法 | 2016年 3月30日 | |
| 特許 5891959 | 単結晶製造装置 | 2016年 3月23日 | |
| 特許 5892109 | 超音波洗浄装置及び洗浄方法 | 2016年 3月23日 | |
| 特許 5892389 | 研磨パッド及び研磨方法 | 2016年 3月23日 | |
| 特許 5888203 | ワイヤソー用スラリーの製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5888264 | 半導体単結晶の製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5888280 | シリコンウエーハの研磨方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5888286 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2016年 3月16日 | |
| 特許 5884705 | 気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 3月15日 | |
| 特許 5880353 | シリコン単結晶の育成方法 | 2016年 3月 9日 | |
| 特許 5880415 | 単結晶の製造方法 | 2016年 3月 9日 | |
| 特許 5880974 | エピタキシャル成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 3月 9日 | |
| 特許 5877500 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 3月 8日 |
126 件中 91-105 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
5900305 5895875 5896884 5891959 5892109 5892389 5888203 5888264 5888280 5888286 5884705 5880353 5880415 5880974 5877500
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
2月4日(火) - 東京 港区
2月4日(火) - 神奈川 川崎市
2月4日(火) -
2月4日(火) -
2月5日(水) - 東京 港区
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月5日(水) -
2月6日(木) - 東京 港区
2月6日(木) -
2月7日(金) -
2月7日(金) - 東京 港区
2月7日(金) - 神奈川 横浜市
2月7日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒195-0074 東京都町田市山崎町1089-10 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 鑑定 コンサルティング
名古屋本部オフィス 〒450-0002 愛知県名古屋市中村区名駅3-13-24 第一はせ川ビル6F http://aigipat.com/ 岐阜オフィス 〒509-0124 岐阜県各務原市鵜沼山崎町3丁目146番地1 PACビル2階（旧横山ビル） http://gifu.aigipat.com/ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
〒543－0014 大阪市天王寺区玉造元町2番32－1301 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国意匠 外国商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
