信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第330位 110件
（
2015年：第311位 119件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5967044 | 研磨パッドの評価方法及びウェーハの研磨方法 | 2016年 8月10日 | |
| 特許 5962614 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2016年 8月 3日 | |
| 特許 5958430 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2016年 8月 2日 | |
| 特許 5954247 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 7月20日 | |
| 特許 5954251 | ウェーハの面取り加工装置及びウェーハの面取り加工方法 | 2016年 7月20日 | |
| 特許 5954254 | 半導体ウェーハの評価システム及び評価方法 | 2016年 7月20日 | |
| 特許 5954293 | 研磨用の発泡ウレタンパッドのドレッシング装置 | 2016年 7月20日 | |
| 特許 5955271 | 研磨ヘッドの製造方法 | 2016年 7月20日 | |
| 特許 5945967 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2016年 7月 5日 | |
| 特許 5945971 | シリコン単結晶引上装置 | 2016年 7月 5日 | |
| 特許 5946001 | シリコン単結晶棒の製造方法 | 2016年 7月 5日 | |
| 特許 5942931 | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | 2016年 6月29日 | |
| 特許 5942939 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 6月29日 | |
| 特許 5942948 | ＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ | 2016年 6月29日 | |
| 特許 5943201 | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 6月29日 |
126 件中 61-75 件を表示
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5967044 5962614 5958430 5954247 5954251 5954254 5954293 5955271 5945967 5945971 5946001 5942931 5942939 5942948 5943201
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