信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6015634 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年10月26日 | |
| 特許 6015641 | 単結晶製造方法 | 2016年10月26日 | |
| 特許 6015683 | ワークの加工装置およびワークの加工方法 | 2016年10月26日 | |
| 特許 6011930 | シリコンウェーハの評価方法及びそのエッチング液 | 2016年10月25日 | |
| 特許 6012719 | 円板形ワーク用外周研磨装置 | 2016年10月25日 | |
| 特許 6007889 | 面取り加工装置及びノッチレスウェーハの製造方法 | 2016年10月19日 | |
| 特許 6007892 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年10月19日 | |
| 特許 6007553 | ウエーハの研磨方法 | 2016年10月12日 | |
| 特許 6003800 | ウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システム | 2016年10月 5日 | |
| 特許 5998976 | 切断位置の決定方法、単結晶インゴットの切断方法、及び切断位置の決定システム | 2016年 9月28日 | |
| 特許 5999511 | 気相エピタキシャル成長装置及びそれを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 9月28日 | |
| 特許 6000235 | ワークの切断方法及びワーク保持治具 | 2016年 9月28日 | |
| 特許 5994687 | 洗浄槽の処理方法 | 2016年 9月21日 | |
| 特許 5994733 | 半導体ウェーハの評価方法及び製造方法 | 2016年 9月21日 | |
| 特許 5994766 | ワークの切断方法 | 2016年 9月21日 |
126 件中 31-45 件を表示
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6015634 6015641 6015683 6011930 6012719 6007889 6007892 6007553 6003800 5998976 5999511 6000235 5994687 5994733 5994766
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