信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年7月11日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5991267 | ワークの切断方法および切断装置 | 2016年 9月14日 | |
| 特許 5991284 | シリコンウェーハの熱処理方法 | 2016年 9月14日 | |
| 特許 5991330 | シリコン単結晶製造装置からのアルゴンガス回収精製方法及びアルゴンガス回収精製装置 | 2016年 9月14日 | |
| 特許 5993550 | シリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2016年 9月14日 | |
| 特許 5987801 | 半導体素子の評価方法 | 2016年 9月 7日 | |
| 特許 5978764 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2016年 8月24日 | |
| 特許 5978976 | 半導体ウェーハ収納容器の清浄度評価方法 | 2016年 8月24日 | |
| 特許 5978986 | 高周波半導体装置及び高周波半導体装置の製造方法 | 2016年 8月24日 | |
| 特許 5979081 | 単結晶ウェーハの製造方法 | 2016年 8月24日 | |
| 特許 5974974 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 8月23日 | |
| 特許 5974978 | シリコン単結晶製造方法 | 2016年 8月23日 | |
| 特許 5971208 | 半導体素子の評価方法及び半導体素子の評価装置 | 2016年 8月17日 | |
| 特許 5971289 | 基板局所の自動分析装置及び分析方法 | 2016年 8月17日 | |
| 特許 5967019 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2016年 8月10日 | |
| 特許 5967040 | 鏡面研磨ウェーハの製造方法 | 2016年 8月10日 |
126 件中 46-60 件を表示
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5991267 5991284 5991330 5993550 5987801 5978764 5978976 5978986 5979081 5974974 5974978 5971208 5971289 5967019 5967040
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