信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5846025 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 1月20日 | |
| 特許 5846071 | ＦＺ法による半導体単結晶棒の製造方法 | 2016年 1月20日 | |
| 特許 5846096 | 内周刃ブレードのドレッシング方法 | 2016年 1月20日 | |
| 特許 5842765 | シリコン単結晶中の窒素濃度評価方法 | 2016年 1月13日 | |
| 特許 5843070 | 薄膜形成方法及び薄膜形成システム | 2016年 1月13日 | |
| 特許 5839343 | 気相成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 1月 6日 |
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5846025 5846071 5846096 5842765 5843070 5839343
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