信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5938969 | エピタキシャルウエーハの製造方法および固体撮像素子の製造方法 | 2016年 6月22日 | |
| 特許 5934575 | 窒化物半導体装置の製造方法 | 2016年 6月15日 | |
| 特許 5936007 | 気相エピタキシャル成長装置の汚染評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 6月15日 | |
| 特許 5929662 | 研磨装置及びＳＯＩウェーハの研磨方法 | 2016年 6月 8日 | |
| 特許 5929825 | シリコン単結晶の製造方法 | 2016年 6月 8日 | |
| 特許 5927894 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2016年 6月 1日 | |
| 特許 5928363 | シリコン単結晶ウエーハの評価方法 | 2016年 6月 1日 | |
| 特許 5924181 | ＦＺ単結晶シリコンの製造方法 | 2016年 5月25日 | |
| 特許 5920156 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年 5月18日 | |
| 特許 5920188 | 加熱装置 | 2016年 5月18日 | |
| 特許 5915506 | サファイア単結晶の製造方法及び種結晶 | 2016年 5月11日 | |
| 特許 5915565 | シリコン単結晶の製造方法およびシリコン単結晶ウェーハの製造方法 | 2016年 5月11日 | |
| 特許 5910352 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2016年 4月27日 | |
| 特許 5907045 | シリコン単結晶の引き上げ方法 | 2016年 4月20日 | |
| 特許 5904079 | シリコン単結晶育成装置及びシリコン単結晶育成方法 | 2016年 4月13日 |
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5938969 5934575 5936007 5929662 5929825 5927894 5928363 5924181 5920156 5920188 5915506 5915565 5910352 5907045 5904079
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