信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年1月31日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 5879083 | 半導体ウェーハの評価方法 | 2016年 3月 8日 | |
| 特許 5870865 | シリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法 | 2016年 3月 1日 | |
| 特許 5870960 | ワークの研磨装置 | 2016年 3月 1日 | |
| 特許 5867359 | ウェーハの評価方法及びウェーハの研磨方法 | 2016年 2月24日 | |
| 特許 5867377 | 円筒研削機および単結晶ウエーハの製造方法 | 2016年 2月24日 | |
| 特許 5867906 | 故意汚染ウェーハの熱処理方法 | 2016年 2月24日 | |
| 特許 5861333 | 貼り合わせ基板の貼り合わせ面の評価方法 | 2016年 2月16日 | |
| 特許 5862472 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | 2016年 2月16日 | |
| 特許 5862492 | 半導体ウェーハの評価方法及び製造方法 | 2016年 2月16日 | |
| 特許 5862521 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2016年 2月16日 | |
| 特許 5857901 | 半導体基板の評価方法 | 2016年 2月10日 | |
| 特許 5857945 | 原料充填方法および単結晶の製造方法 | 2016年 2月10日 | |
| 特許 5849878 | シリコン単結晶育成方法 | 2016年 2月 3日 | |
| 特許 5849932 | チャージ方法 | 2016年 2月 3日 | |
| 特許 5847789 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 | 2016年 1月27日 |
126 件中 106-120 件を表示
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5879083 5870865 5870960 5867359 5867377 5867906 5861333 5862472 5862492 5862521 5857901 5857945 5849878 5849932 5847789
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