信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6330735 | ウェーハの両面研磨方法 | 2018年 5月30日 | |
| 特許 6332063 | 半導体単結晶製造装置及び半導体単結晶の製造方法 | 2018年 5月30日 | |
| 特許 6332698 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 5月30日 | |
| 特許 6323383 | 半導体装置の評価方法 | 2018年 5月16日 | |
| 特許 6315272 | 半導体基板の製造方法 | 2018年 4月25日 | |
| 特許 6315285 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 | 2018年 4月25日 | |
| 特許 6312229 | 研磨方法及び研磨装置 | 2018年 4月18日 | |
| 特許 6308138 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年 4月11日 | |
| 特許 6308159 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 4月11日 | |
| 特許 6304089 | アルゴンガスの精製方法及びアルゴンガスの回収精製装置 | 2018年 4月 4日 | |
| 特許 6304118 | ワイヤソー装置 | 2018年 4月 4日 | |
| 特許 6304125 | シリコン単結晶の軸方向の抵抗率制御方法 | 2018年 4月 4日 | |
| 特許 6304127 | 単結晶の製造方法 | 2018年 4月 4日 | |
| 特許 6304132 | ワークの加工装置 | 2018年 4月 4日 | |
| 特許 6299539 | ラッピング方法 | 2018年 3月28日 |
107 件中 61-75 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6330735 6332063 6332698 6323383 6315272 6315285 6312229 6308138 6308159 6304089 6304118 6304125 6304127 6304132 6299539
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
9月1日(月) - 東京 港区
特許庁：AI／DX時代に即した産業財産権制度について ～有識者委員会での議論を踏まえた、特許・意匠制度の見直しの方向性～
9月1日(月) -
9月2日(火) -
9月2日(火) -
9月2日(火) - 東京 港区
9月3日(水) -
9月3日(水) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月4日(木) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月5日(金) -
9月5日(金) -
9月6日(土) -
9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
9月10日(水) - 東京 港区
9月10日(水) -
9月11日(木) - 東京 江東区
9月11日(木) - 広島 広島
ますます頼りにされる商標担当者になるための３つのポイント ～ 社内の商標相談にサクサクと答えられるエッセンスを教えます ～
9月12日(金) -
9月12日(金) -
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒060-0002 札幌市中央区北2条西3丁目1番地太陽生命札幌ビル7階 特許・実用新案 商標 外国特許 訴訟 鑑定 コンサルティング
岐阜県各務原市つつじが丘１丁目１１１番地 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 コンサルティング
〒152-0034 東京都目黒区緑が丘一丁目16番7号 意匠 商標 外国商標 訴訟 コンサルティング
