信越半導体株式会社
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年12月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6413943 | シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6413970 | シリコン単結晶の育成方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6413973 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6414135 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6414801 | 欠陥検査方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6402700 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2018年10月10日 | |
| 特許 6402703 | 欠陥領域の判定方法 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6402709 | バンドソー切断装置及びシリコン結晶の切断方法 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6403100 | エピタキシャル成長装置及び保持部材 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6403106 | 気相成長装置 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6398939 | テンプレートの測定方法及び評価方法 | 2018年10月 3日 | |
| 特許 6399173 | シリコンウェーハの洗浄方法 | 2018年10月 3日 | |
| 特許 6394569 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 | 2018年 9月26日 | |
| 特許 6390577 | シリコン単結晶基板の評価方法 | 2018年 9月19日 | |
| 特許 6390579 | 単結晶の製造方法 | 2018年 9月19日 |
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6413943 6413970 6413973 6414135 6414801 6402700 6402703 6402709 6403100 6403106 6398939 6399173 6394569 6390577 6390579
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