信越半導体株式会社
※ ログインすれば出願人(信越半導体株式会社)をリストに登録できます。ログインについて
■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
2011年 2012年 2013年 2014年 2015年 2016年 2017年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年 2025年
信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6413943 | シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6413970 | シリコン単結晶の育成方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6413973 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6414135 | シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6414801 | 欠陥検査方法 | 2018年10月31日 | |
| 特許 6402700 | ワークの切断方法及びワイヤソー | 2018年10月10日 | |
| 特許 6402703 | 欠陥領域の判定方法 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6402709 | バンドソー切断装置及びシリコン結晶の切断方法 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6403100 | エピタキシャル成長装置及び保持部材 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6403106 | 気相成長装置 | 2018年10月10日 | |
| 特許 6398939 | テンプレートの測定方法及び評価方法 | 2018年10月 3日 | |
| 特許 6399173 | シリコンウェーハの洗浄方法 | 2018年10月 3日 | |
| 特許 6394569 | ウェーハの研磨方法及び研磨装置 | 2018年 9月26日 | |
| 特許 6390577 | シリコン単結晶基板の評価方法 | 2018年 9月19日 | |
| 特許 6390579 | 単結晶の製造方法 | 2018年 9月19日 |
107 件中 16-30 件を表示
※ をクリックすると公報番号が選択状態になります。クリップボードにコピーする際にお使いください。
このページの公報番号をまとめてクリップボードにコピー
6413943 6413970 6413973 6414135 6414801 6402700 6402703 6402709 6403100 6403106 6398939 6399173 6394569 6390577 6390579
※ ログインすれば出願人をリストに登録できます。信越半導体株式会社の知財の動向チェックに便利です。
特許ランキング
9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
9月1日(月) - 東京 港区
特許庁：AI／DX時代に即した産業財産権制度について ～有識者委員会での議論を踏まえた、特許・意匠制度の見直しの方向性～
9月1日(月) -
9月2日(火) -
9月2日(火) -
9月2日(火) - 東京 港区
9月3日(水) -
9月3日(水) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月4日(木) -
9月4日(木) - 大阪 大阪市
9月5日(金) -
9月5日(金) -
9月6日(土) -
9月1日(月) - 千葉 千葉市美浜区中瀬1丁目3番地
特許事務所紹介 IP Force 特許事務所紹介
〒460-0008 愛知県名古屋市中区栄一丁目２３番２９号 伏見ポイントビル３Ｆ 特許・実用新案 意匠 商標 外国特許 外国商標 鑑定 コンサルティング
〒567-0883 大阪府茨木市大手町2番6号 丸吉ビル202号 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 鑑定 コンサルティング
大阪府大阪市北区西天満３丁目５－１０ オフィスポート大阪８０１号 特許・実用新案 意匠 商標 訴訟 コンサルティング
