信越半導体株式会社
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年8月25日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6365887 | シリコンウェーハのゲッタリング能力評価方法 | 2018年 8月 1日 | |
| 特許 6358472 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 7月18日 | |
| 特許 6354563 | 回収器具の製造方法、金属不純物の回収方法、及び金属不純物の分析方法 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6354643 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6354657 | 半導体基板の評価方法、半導体基板の製造方法 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6354993 | シリコンウェーハ及びシリコンウェーハの製造方法 | 2018年 7月11日 | |
| 特許 6350384 | 研削用砥石 | 2018年 7月 4日 | |
| 特許 6353814 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2018年 7月 4日 | |
| 特許 6347232 | シリコンウェーハの洗浄方法 | 2018年 6月27日 | |
| 特許 6347330 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 6月27日 | |
| 特許 6349290 | 単結晶ウェーハの表裏判定方法 | 2018年 6月27日 | |
| 特許 6344271 | 貼り合わせ半導体ウェーハ及び貼り合わせ半導体ウェーハの製造方法 | 2018年 6月20日 | |
| 特許 6341291 | 半導体単結晶の再溶融方法 | 2018年 6月13日 | |
| 特許 6330718 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 5月30日 | |
| 特許 6330720 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 | 2018年 5月30日 |
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6365887 6358472 6354563 6354643 6354657 6354993 6350384 6353814 6347232 6347330 6349290 6344271 6341291 6330718 6330720
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