信越半導体株式会社
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年12月17日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6299543 | 抵抗率制御方法及び追加ドーパント投入装置 | 2018年 3月28日 | |
| 特許 6299635 | 気相成長装置及び気相成長装置に用いるリフレクタ | 2018年 3月28日 | |
| 特許 6299668 | ヘイズの評価方法 | 2018年 3月28日 | |
| 特許 6300104 | シリコン結晶の炭素濃度測定方法、シリコン結晶の炭素関連準位測定方法 | 2018年 3月28日 | |
| 特許 6296001 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及び評価方法 | 2018年 3月20日 | |
| 特許 6292131 | シリコン基板の選別方法 | 2018年 3月14日 | |
| 特許 6292164 | シリコン単結晶の製造方法 | 2018年 3月14日 | |
| 特許 6292166 | 半導体基板の評価方法 | 2018年 3月14日 | |
| 特許 6287778 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 3月 7日 | |
| 特許 6287920 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2018年 3月 7日 | |
| 特許 6287991 | シリコン単結晶育成装置 | 2018年 3月 7日 | |
| 特許 6288515 | 評価方法及び測定方法 | 2018年 3月 7日 | |
| 特許 6283957 | 研磨ヘッドの製造方法及び研磨ヘッド、並びに研磨装置 | 2018年 2月28日 | |
| 特許 6281401 | ウェーハのへき開方法及びウェーハの評価方法 | 2018年 2月21日 | |
| 特許 6281479 | 単結晶引上げ装置 | 2018年 2月21日 |
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6299543 6299635 6299668 6300104 6296001 6292131 6292164 6292166 6287778 6287920 6287991 6288515 6283957 6281401 6281479
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