信越半導体株式会社
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（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6390606 | 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法 | 2018年 9月19日 | |
| 特許 6387944 | 研磨剤及び研磨方法 | 2018年 9月12日 | |
| 特許 6389449 | 研磨装置 | 2018年 9月12日 | |
| 特許 6384455 | シリコン原料洗浄装置 | 2018年 9月 5日 | |
| 特許 6380245 | ＳＯＩウェーハの製造方法 | 2018年 8月29日 | |
| 特許 6376072 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 8月22日 | |
| 特許 6376085 | 研磨方法及び研磨装置 | 2018年 8月22日 | |
| 特許 6372436 | 半導体装置の作製方法 | 2018年 8月15日 | |
| 特許 6372709 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 8月15日 | |
| 特許 6372859 | 研磨パッドのコンディショニング方法及び研磨装置 | 2018年 8月15日 | |
| 特許 6369349 | カソードルミネッセンス測定用治具及びカソードルミネッセンスの測定方法 | 2018年 8月 8日 | |
| 特許 6369352 | 結晶育成方法 | 2018年 8月 8日 | |
| 特許 6369388 | シリコン単結晶基板の評価方法 | 2018年 8月 8日 | |
| 特許 6369402 | 半導体基板の製造方法及び半導体基板 | 2018年 8月 8日 | |
| 特許 6365674 | 単結晶の製造方法 | 2018年 8月 1日 |
107 件中 31-45 件を表示
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6390606 6387944 6389449 6384455 6380245 6376072 6376085 6372436 6372709 6372859 6369349 6369352 6369388 6369402 6365674
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