信越半導体株式会社
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■ 2018年 出願公開件数ランキング 第424位 80件
（
2017年：第368位 116件）
■ 2018年 特許取得件数ランキング 第275位 105件
（2017年：第265位 112件）
（ランキング更新日：2025年9月1日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6281537 | 半導体ウェーハの製造方法 | 2018年 2月21日 | |
| 特許 6283250 | 半導体基板及び半導体素子 | 2018年 2月21日 | |
| 特許 6277924 | インゴットの切断方法 | 2018年 2月14日 | |
| 特許 6277931 | 貼り合わせ不良部の検出方法及び検査システム | 2018年 2月14日 | |
| 特許 6274379 | ロードポート及びウェーハ搬送方法 | 2018年 2月 7日 | |
| 特許 6274578 | エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 2月 7日 | |
| 特許 6268676 | 電極の形成方法 | 2018年 1月31日 | |
| 特許 6269397 | 半導体単結晶棒の製造装置及び製造方法 | 2018年 1月31日 | |
| 特許 6269450 | ワークの加工装置 | 2018年 1月31日 | |
| 特許 6272801 | ワークホルダー及びワークの切断方法 | 2018年 1月31日 | |
| 特許 6264151 | 植物育成用照明装置及び植物育成方法 | 2018年 1月24日 | |
| 特許 6261388 | 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | 2018年 1月17日 | |
| 特許 6261437 | 半導体基板の製造方法、及び半導体素子の製造方法 | 2018年 1月17日 | |
| 特許 6261523 | 電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法、並びに電子デバイスの製造方法 | 2018年 1月17日 | |
| 特許 6256284 | 遮熱部材下端面と原料融液面との間の距離の測定方法及びシリコン単結晶の製造方法 | 2018年 1月10日 |
107 件中 91-105 件を表示
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6281537 6283250 6277924 6277931 6274379 6274578 6268676 6269397 6269450 6272801 6264151 6261388 6261437 6261523 6256284
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