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ソイテック

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  2023年 出願公開件数ランキング    第865位 31件 上昇2022年:第1399位 17件)

  2023年 特許取得件数ランキング    第1078位 20件 上昇2022年:第2778位 6件)

(ランキング更新日:2025年1月17日)筆頭出願人である出願のみカウントしています

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公報番号発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます)公報発行日備考
特開 2023-76477 共振キャビティ表面音響波(SAW)フィルタ 2023年 6月 1日
特表 2023-520662 高周波デバイスのための、圧電層を転写するのに使用できる圧電構造体を製造するための方法、及びそのような圧電層を転写するための方法 2023年 5月18日
特表 2023-519162 SiCでできたキャリア基板の上に単結晶SiCでできた薄層を備える複合構造を製造するための方法 2023年 5月10日
特表 2023-519165 SiCでできたキャリア基板の上に単結晶SiCでできた薄層を備える複合構造を製造するための方法 2023年 5月10日
特表 2023-519166 積層構造を製造するための方法 2023年 5月10日
特表 2023-519262 高周波デバイスのための、圧電層を転写するのに使用できる圧電構造体を製造するための方法、及びそのような圧電層を転写するための方法 2023年 5月10日
特表 2023-510514 2つの半導体基板を接合するためのプロセス 2023年 3月14日
特表 2023-510285 画像センサを作製するプロセス 2023年 3月13日
特表 2023-509380 高周波用途用の半導体オンインシュレータ構造を製造するための方法 2023年 3月 8日
特表 2023-508834 支持基板に単結晶薄層を備える複合構造体を製造するためのプロセス 2023年 3月 6日
特表 2023-506630 薄い表面層の厚さの均一性を改善するための、薄い表面層を備える基板をエッチングする方法 2023年 2月17日
特表 2023-504594 RF用途を目的とした複合構造のためのハンドル基板を形成するためのプロセス 2023年 2月 6日
特表 2023-504597 複合基板のための高抵抗率ハンドル支持体を形成する方法 2023年 2月 6日
特表 2023-502571 SiCでできたキャリア基材上に単結晶SiCの薄層を備える複合構造を作成するプロセス 2023年 1月25日
特表 2023-502572 結晶SiCのキャリア基材上に単結晶SiCの薄層を備える複合構造を作成するプロセス 2023年 1月25日

31 件中 16-30 件を表示

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2023-76477 2023-520662 2023-519162 2023-519165 2023-519166 2023-519262 2023-510514 2023-510285 2023-509380 2023-508834 2023-506630 2023-504594 2023-504597 2023-502571 2023-502572

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