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■ 2024年 出願公開件数ランキング 第41位 605件
(
2023年:第32位 708件)
■ 2024年 特許取得件数ランキング 第47位 555件
(
2023年:第80位 398件)
(ランキング更新日:2025年11月7日)筆頭出願人である出願のみカウントしています
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| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 7492554 | 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム | 2024年 5月29日 | |
| 特許 7492601 | プラズマ処理装置のエッジリングにおける電力を操作するための装置及び方法 | 2024年 5月29日 | |
| 特許 7492619 | 高圧処理によるタングステンの脱フッ素化 | 2024年 5月29日 | |
| 特許 7492636 | モノリシックモジュラー高周波プラズマ源 | 2024年 5月29日 | |
| 特許 7490644 | アニーリングの小環境を有する処理チャンバ | 2024年 5月27日 | |
| 特許 7490108 | 基板構造化方法 | 2024年 5月24日 | |
| 特許 7489454 | 基板支持体のための一体化された電極及び接地面 | 2024年 5月23日 | |
| 特許 7488827 | マスクレスリソグラフィのためのハーフトーンスキーム | 2024年 5月22日 | |
| 特許 7488959 | 光学デバイス構造を製造するための方法 | 2024年 5月22日 | |
| 特許 7488971 | エッチングパラメータを測定するための複数リフレクトメトリ | 2024年 5月22日 | |
| 特許 7488366 | 可変エッチング深さのための方法 | 2024年 5月21日 | |
| 特許 7488421 | 半導体プロセスチャンバ構成要素のための改善されたネジ山の形状 | 2024年 5月21日 | |
| 特許 7487267 | 厚膜内の結晶化の開始を停めるためのスパッタエッチングを使用したPVD二酸化チタン形成 | 2024年 5月20日 | |
| 特許 7487300 | 段階的な屈折率を有する有機発光ダイオード光抽出層 | 2024年 5月20日 | |
| 特許 7487328 | ランプの検査装置および検査方法 | 2024年 5月20日 |
555 件中 346-360 件を表示
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7492554 7492601 7492619 7492636 7490644 7490108 7489454 7488827 7488959 7488971 7488366 7488421 7487267 7487300 7487328
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11月12日(水) -
11月12日(水) -
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11月13日(木) -
11月13日(木) -
11月13日(木) -
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11月14日(金) - 東京 品川区
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11月14日(金) - 大阪 大阪市
11月14日(金) -
11月14日(金) -
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11月18日(火) -
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11月19日(水) -
11月19日(水) - 東京 港区
11月19日(水) -
11月19日(水) -
11月19日(水) -
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11月20日(木) - 東京 千代田区
11月20日(木) -
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11月21日(金) -
11月21日(金) -
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