信越半導体株式会社
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■ 2016年 出願公開件数ランキング 第339位 111件
（
2015年：第318位 124件）
■ 2016年 特許取得件数ランキング 第265位 122件
（
2015年：第308位 89件）
（ランキング更新日：2025年4月15日）筆頭出願人である出願のみカウントしています
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6036732 | 貼り合わせウェーハの製造方法 | 2016年11月30日 | |
| 特許 6029492 | 炭化珪素の製造方法 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6029538 | 半導体装置 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6032072 | 欠陥検出方法 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6032155 | ウェーハの両面研磨方法 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6032186 | シリコンエピタキシャルウエーハの評価方法 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6032234 | ワーク保持装置 | 2016年11月24日 | |
| 特許 6024595 | ガスフィルターのライフ管理方法 | 2016年11月16日 | |
| 特許 6025070 | シリコン単結晶の品質評価方法 | 2016年11月16日 | |
| 特許 6020311 | 半導体ウェーハの製造方法及び半導体インゴットの切断位置決定システム | 2016年11月 2日 | |
| 特許 6020342 | シリコンエピタキシャルウェーハ及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2016年11月 2日 | |
| 特許 6020358 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 | 2016年11月 2日 | |
| 特許 6020359 | 半導体基板の評価方法 | 2016年11月 2日 | |
| 特許 6015435 | 半導体ウェーハの強度の評価方法及び評価装置 | 2016年10月26日 | |
| 特許 6015598 | インゴットの切断方法及びワイヤソー | 2016年10月26日 |
126 件中 16-30 件を表示
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6036732 6029492 6029538 6032072 6032155 6032186 6032234 6024595 6025070 6020311 6020342 6020358 6020359 6015435 6015598
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