信越半導体株式会社
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■ 2017年 出願公開件数ランキング 第368位 116件
（
2016年：第339位 111件）
■ 2017年 特許取得件数ランキング 第265位 112件
（
2016年：第265位 122件）
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信越半導体株式会社の商標一覧| 公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
|---|---|---|---|
| 特許 6183301 | 自動ハンドリング装置 | 2017年 8月23日 | |
| 特許 6179530 | 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法 | 2017年 8月16日 | |
| 特許 6179790 | 気相成長装置及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | 2017年 8月16日 | |
| 特許 6180401 | エピタキシャルウェーハ、半導体素子、エピタキシャルウェーハの製造方法、並びに、半導体素子の製造方法 | 2017年 8月16日 | |
| 特許 6176593 | シリコンウェーハの製造方法 | 2017年 8月 9日 | |
| 特許 6178774 | 定盤運搬台車 | 2017年 8月 9日 | |
| 特許 6172030 | ワークの切断方法及び加工液 | 2017年 8月 2日 | |
| 特許 6172053 | 固定砥粒ワイヤ及びワイヤソー並びにワークの切断方法 | 2017年 8月 2日 | |
| 特許 6172094 | 半導体基板の評価方法 | 2017年 8月 2日 | |
| 特許 6172102 | ＳＯＩ基板の評価方法 | 2017年 8月 2日 | |
| 特許 6167752 | シリコン単結晶材料の製造方法 | 2017年 7月26日 | |
| 特許 6167984 | ウェーハの加工方法 | 2017年 7月26日 | |
| 特許 6168011 | 単結晶育成装置及びその装置を用いた単結晶育成方法 | 2017年 7月26日 | |
| 特許 6160579 | シリコンウェーハの仕上げ研磨方法 | 2017年 7月12日 | |
| 特許 6157381 | エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハ | 2017年 7月 5日 |
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6183301 6179530 6179790 6180401 6176593 6178774 6172030 6172053 6172094 6172102 6167752 6167984 6168011 6160579 6157381
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